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碳化硅工艺设备

碳化硅工艺设备

碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速

2023年4月26日目前国内碳化硅切割设备主流为金刚线切割设备，主要集中于高测股份、上机数控、连城数控、宇晶股份等国内企业；激光切割设备目前试产份额较小，主要集中除碳化硅长晶炉设备外，被日本高鸟占据80%以上份额的碳化硅切磨抛设备，成产业加速扩张之下，碳化硅

产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻

2022年12月15日除碳化硅长晶炉设备外，被日本高鸟占据80%以上份额的碳化硅切磨抛设备，成为了上机数控、宇晶股份、大族激光、高测股份等厂商向上突围的共同选择。今 2023年9月27日 SiC晶圆制造特定工艺带来特定设备的需求，主要包括高温离子注入机、高温退火炉、SiC减薄设备、背面金属沉积设备、背面激光退火设备、SiC衬底和外延片表碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关

知乎专栏随心写作，自由表达知乎

2020年6月10日碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约14t的一氧化碳 (CO 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺

碳化硅多线切割设备厂商

2023年12月21日切割是碳化硅晶棒道加工工序，决定了后续研磨、抛光的加工水平。随着市场对碳化硅衬底的质量和良率要求越来越严格，切割工艺也从传统的内圆锯切割和金刚石带锯、电火花切割等手段转变到线锯切割（包括游离磨砂线锯切割和金刚石线锯切割），目前各大厂商也有在验证或关注下一代的 6 天之前 VERIC A6151A SiC高温退火炉具有无金属、长寿命的加热系统及特殊设计的高可靠工艺腔室，具备在氩气、氮气和氢气等气体氛围下的高温退火工艺，温度可达2000℃。主要应用SiC高温离子注入后的高温激活退火，刻蚀后的沟槽平滑等，还可用于GaN晶圆中的掺 SiC高温退火炉产品管理北方华创

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2024年4月18日三、Acheson工艺 Acheson工艺是一种传统的SiC生产方法。在此过程中，将混合好的硅砂和碳素材料填充在特制的石墨坩埚中，利用电弧炉产生的高温进行反应。炉温在反应区可达2400°C，这时硅砂和碳在石墨电极的电场作用下发生反应，生成碳化硅。浮思特｜碳化硅SiC生产工艺的全景解析百家号

SiC关键工艺“大考”——离子注入Axcelis高温碳化硅

2024年4月11日 SiC关键工艺“大考”——离子注入在半导体工艺中，通常的掺杂控制方法为高温扩散和离子注入。相比而言：高温扩散工艺简单，设备便宜，掺杂分布轮廓为等向性，引入的晶格损伤低；离子注入工艺复杂，设备昂贵，但是离子注入的温度条件相对扩散 2023年6月30日此外，凭借良好的工艺性能和市场化业绩，产品于2022年荣获中国集成电路创新联盟第五届“IC创新奖”。面向投资火爆的碳化硅领域，北方华创凭借深厚的技术积累，快速开发了碳化硅外延产品，目前产品已实现近200台的销售，占据市场半壁江山。北方华创实现外延工艺设备全覆盖企业新闻北方华创

碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus腾讯新闻

2023年7月14日与此同时，国内外产业模式的差异，技术差距、设备挑战以及国内碳化硅器件中低端“互卷”等问题，都一一成为摆在我国碳化硅产业链发展面前的难题。碳化硅“狂飙” 上文提到，从产业链层面初步划分，整个SiC产业链主要分为衬底、外延、设计、器件和 2023年9月22日碳化硅制造中的环节和设备 1、芯片制造碳化硅SBD与MOSFET的基本制造方法相同，SBD结构简单、制造工艺相对简单，MOSFET的制造工艺相对复杂，以结构最简单的横向、平面型MOSFET为例说明如下：（ 1）图形化氧化膜。清洗晶圆，制作一层氧化硅（SiO2）薄膜碳化硅制造中的环节和设备电子工程专辑

碳化硅产业核心设备

2023年12月22日碳化硅长晶炉作为衬底生长的核心工艺设备，对行业的发展起到决定性作用。考虑到与工艺的契合性，衬底厂商一般不轻易改变长晶炉的购买渠道，其他企业想要插入进来并不容易，不过如今碳化硅产业疯狂扩产或有新的机遇。2023年5月13日由于SiC工艺的特殊性，传统用于Si基功率器件制备的设备已不能满足需求，需要增加一些专用的设备作为支撑，如材料制备中的碳化硅单晶生长炉、金刚线多线切割机设备，芯片制程中的高温高能离子注入、退火激活、栅氧制备等设备。在图形化、刻蚀、化造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？中国纳米行业门户

碳化硅设备研发、生产、销售企业苏州优晶半导体科

2024年3月12日苏州优晶半导体科技股份有限公司是一家专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型碳化硅晶体生长设备研发、生产及销售的高新技术企业。公司经多年努力研发电阻法碳化硅晶体生长设备及工艺，于2019年 2023年8月8日碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬底的成本是非常高的。碳化硅晶圆产业链的核心：外延技术电子工程专辑 EE

详解碳化硅PVT长晶工艺

2023年11月10日详解碳化硅PVT长晶工艺一般认为利用PVT法生长碳化硅晶体需重点关注以下几点： 1、籽晶极性及晶型种类的选择。研究证实，决定单一4H晶型稳定生长的关键因素为籽晶极性，通常C面可用于制备4HSiC晶型，而Si面则用于制备6HSiC晶型，且与籽晶晶 2023年6月29日据悉，该8英寸单片式碳化硅外延设备可兼容6、8寸碳化硅外延生产，在6英寸外延设备原有的温度高精度闭环控制、工艺气体精确分流控制等技术基础上，解决了腔体设计中的温场均匀性、流场均匀性等控制难题，实现了成熟稳定的8英寸碳化硅外延工艺。市场国产碳化硅外延炉设备竞争江湖电子工程专辑 EE

2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇产能

2023年11月12日虽然碳化硅产能扩建一片红红火火，但想要大规模起量乃至获得高额收益，至少要等到2025年以后了，如今都不过是在烧钱布局罢了，最先从中受益的反而是设备厂商，由于碳化硅的扩建扩产，相关设备市场皆呈现供不应求的状态，Insemi预计2025年碳化 1 天前为解决高功率密度车用模块中芯片下焊料疲劳与键合线故障问题，翠展微电子针对Tpak SiC系列封装提出了一个创新解决方案，银浆烧结+铜Clip方案。芯片与AMB间的连接方式采用银浆烧结，代替传统焊料。银的熔点高达961℃，不会产生熔点小于300℃的软钎焊翠展微电子TPAK SiC系列解决方案：银浆烧结+铜Clip方案

碳化硅化学气相沉积外延设备纳设智能官方网站

碳化硅化学气相沉积外延设备纳设智能官方网站碳化硅外延设备属半导体设备领域，占据第三代半导体产业链上游关键环节。我司碳化硅外延设备采用自主创新的结构设计，同时兼容6英寸、4英寸外延片生长，是一款工艺 2024年3月22日该设备专为中国市场定制，并结合半导体行业生产特点，将德国的设计经验和理念与中国本土化生产配套能力优势联合，采用PVT法(物理气相传输工艺)生产碳化硅晶体，计划于2024年第二季度投入市场。德国PVA TeP打造首款国产碳化硅生产设备，德国PVA TePla集团助力

开发碳化硅材料深刻蚀工艺，「中锃半导体」完成数千万元

2024年4月3日在国内市场，目前产业界正处于碳化硅深刻蚀实现技术突破和量产的关键阶段，更需要本土的设备厂商提供更多特色工艺的支持，共同实现半导体技术上的“弯道超车”。「中锃半导体」创始人兼CEO谭志明介绍，“公司团队在技术和经验上非常全面，涵盖设备碳化硅部件（CVDSiC）以自行研发的CVD法生产，实现了超高纯度，高耐热性，高耐磨性的碳化硅产品碳化硅产品是硅（Si）和碳（C）1比1结合而成的一种化合物，具有较高的抗磨损性、耐热性和耐腐蚀性。它们被广 Ferrotec全球气相沉积碳化硅产品（CVDSiC)

第三代半导体SiC功率器件栅氧制备设备及工艺研究百度学术

第三代半导体SiC功率器件栅氧制备设备及工艺研究来自掌桥科研喜欢 0 阅读量： 272 作者：杨金，文正，仲啸阅读量： 272 作者：杨金，文正，仲啸，曾桂辉展开摘要：第三代半导体碳化硅(SiC) 碳化硅芯片的五大关键工艺步骤 13:12 芯片是如何制造的？碳化硅芯片与传统硅基芯片有什么区别？碳化硅，又叫宽禁带半导体，第三代半导体以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，突破原有半导体材料在碳化硅芯片的五大关键工艺步骤电子器件

一种碳化硅外延工艺用尾气处理设备豆丁网

2023年11月13日 CN 一种碳化硅外延工艺用尾气处理设备技术领域 [0001] 本申请涉及碳化硅外延工艺的领域，尤其是涉及一种碳化硅外延工艺用尾气处理设备。背景技术 [0002] 碳化硅外延工艺是指在碳化硅衬底的上表面生长一层与衬底同质的单晶材料4H‑ 2024年1月2日干货丨碳化硅离子注入和退火工艺介绍传统的硅功率器件工艺中，高温扩散和离子注入是最主要的掺杂控制方法，两者各有优缺点。一般来说，高温扩散工艺简单，设备便宜，掺杂分布轮廓为等向性，且高温扩散工艺引入的晶格损伤低。离子注入工艺复杂且干货丨碳化硅离子注入和退火工艺介绍电子工程专辑 EE

一文为您揭秘碳化硅芯片的设计和制造电子工程专辑 EE

2024年5月31日半导体工艺与设备 1、半导体工艺研究、梳理和探讨。 2、半导体设备应用、研发和进展。 3、建华高科半导体设备推广，包括：曝光机、探针台、匀胶机和切片机。 4、四十五所半导体设备推广，包括：湿化学设备、先进封装设备、电子元器件生产设备等。2024年4月17日市场｜碳化硅模组封装，我们还能聊什么？拥抱碳化硅模组设计正向开发大趋势这两年，碳化硅模组封装工艺的技术路线之争从未停歇。 IGBT时代，英飞凌以标准化的IGBT生产工艺，加标准化模组和器件封装横扫市场。但随着碳化硅应用节奏加快，功率市场｜碳化硅模组封装，我们还能聊什么？电子工程专辑